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08实验室正在研制的光刻胶，也是国家半导体后备技术的一部分。
在这个时期，光刻胶并不属于国外向中国禁售的产品。国际上生产光刻胶的厂商众多，国内的半导体企业能够轻而易举地买到各种光刻胶，而且价格也并不昂贵。
然而，国家却依然向枫林研究所下达了研制光刻胶的任务，其目的就是为了万一遭遇到国外的封锁，国内自己也能够提供出合用的光刻胶，确保少数关系国家安全的集成电路的生产不受影响。
所有的人都知道，国内自己研制的光刻胶生产成本会远远高于进口产品，质量则是远远不及，在市场上是绝对没有竞争力的。
但是，当事关国家生死存亡的时候，这些问题还有必要考虑吗？
枫林研究所研究的许多技术，都具有这样的特征。相比西方国家而言，这些技术平均要落后一至两代，即使送给别人，人家也不屑一顾。
可这并不意味着枫林研究所的保密制度就是多余的。保密的目的在于让对手不清楚我们的研究进度到了哪一步，无论对方高估或者低估了我们的水平，都会在战场博弈或者经济博弈中犯下一些或大或小的错误，而这些错误，可能就会成为我们的机会。
这是弱者的一种生存策略。
高凡对于国家的整体策略并不十分了解，但在他从云中明那里听到“光致抗蚀剂”这个词的时候，他就产生出了一个念头：
或许，自己能够做一些事情。
“徐师兄，我听毕主任说，你们正在研究的是G线光刻胶。对于i线以及KrF光刻胶，你们有没有涉及？”高凡问道。
他说的毕主任，叫毕连生，是08实验室的室主任，一位不苟言笑的中年知识分子。
光刻技术，按照使用的光源不同，可以分为许多类，或者称为不同代际也可以。
上世纪60年代，光刻技术刚刚出现的时候，使用的是普通的可见光光源，那时候的光刻机其实就是拿一个大灯泡照射掩膜板，和照相馆里冲洗照片没啥区别。
80年代，光源进化为采用高压放电汞灯产生的436纳米和365纳米光源，前者称为G线光源，后者称为i线光源，都属于近紫外光源。
90年代之后，出现了使用准分子激光器的248纳米、193纳米和157纳米光源，分别称为KrF、ArF和F2光源，属于深紫外光源。
再至于被誉为“皇冠上的明珠”的EUV光刻机，使用的是13.3纳米的极紫外光源，它的出现时间已经要算到2010年之后了。
时下，G线光源还是集成电路制造中使用的主流光源。i线光源光刻机已经问世，但还没有得到大规模推广。至于KrF，实验室概念已经提出来了，真正投入使用，还得是十年后的事情。
光刻的原理，与冲洗照片是一样的。首先，要把电路图制作成底片，称为掩膜。光源通过掩膜照射在涂了光刻胶的芯片基材上。
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